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薄膜铌酸锂超高带宽强度调制器（无光源）
产品介绍
薄膜铌酸锂强度调制器是一种高性能电光转换器件，由我司自主研发并拥有完整自主知识产权。该产品通过高精度耦合工艺技术封装而成，实现了超高电光转换效率。相比于传统铌酸锂晶体调制器，本产品具有低半波电压、高稳定性、小器件尺寸和热光偏置控制的特性，能广泛应用于数字光通信、微波光子、骨干通信网络及通信类科研项目等领域。
产品特点
射频带宽高达 40 GHz
低半波电压
插入损耗低至 4.5 dB
小器件尺寸
封装外形尺寸及引脚定义（单位：毫米）
注：未标注尺寸±0.15 mm；带REF.标记的数据仅为参考值。
|
引脚 |
符号 |
描述 |
|
1 |
- |
无定义 |
|
2 |
- |
无定义 |
|
3 |
Heater |
热调偏置电极 |
|
4 |
Heater |
热调偏置电极 |
|
5 |
MPD0+ |
调制器出光监控PD阳极 |
|
6 |
MPD0- |
调制器出光监控PD阴极 |
|
RF |
RF 连接器 |
1.0 mm K连接器 |
|
In |
入光光纤 |
FC/APC, PMF |
|
Out |
出光光纤 |
FC/APC, PMF |
S21 & S11 测试样图 (70 GHz 典型值)
图 1: S21
图 2: S11
S21 & S11 测试样图 (110 GHz 典型值)
图 1: S21
图 2: S11
订购信息 ： HC-X1C5PPBM61
|
可选项 |
描述 |
选项编号 |
|
X1 |
3 dB电光带宽 |
7 或 B |
|
参数 |
符号 |
单位 |
指标 |
||
|
光学性能 (@25°C) |
工作波长(*) |
λ |
nm |
~1550 |
|
|
光学消光比 (@ DC) (**) |
ER |
dB |
≥ 20 |
||
|
光学回损 |
ORL |
dB |
≤ -27 |
||
|
光学插损 |
IL |
dB |
最大值: 5，典型值: 4.5 |
||
|
电学性能 (@25°C) |
3 dB 电光带宽(2 GHz 起) |
S21 |
GHz |
X1: 7 |
X1: B |
|
最小值: 63，典型值: 65 |
最小值: 103，典型值: 108 |
||||
|
射频半波电压 (@ 50 kHz) |
Vπ |
V |
最大值: 3.5，典型值: 3.0 |
||
|
热调偏置半波功率 |
Pπ |
mW |
≤ 50 |
||
|
射频回损(2 GHz 至 67 GHz) |
S11 |
dB |
≤ -10 |
||
|
工作条件 |
工作温度 (*) |
TO |
°C |
-20~70 |
|
* 可定制。
** 高消光比 (> 25 dB) 可定制。
损伤阈值
若器件工作超过最大损伤阈值将对器件造成不可逆损伤，此类器件损伤不在维保服务范围。
|
参数 |
符号 |
最小值 |
最大值 |
单位 |
|
射频输入功率 |
Sin |
- |
18 |
dBm |
|
射频输入摆幅电压 |
Vpp |
-2.5 |
+2.5 |
V |
|
射频输入均方根电压 |
Vrms |
- |
1.78 |
V |
|
光输入功率 |
Pin |
- |
20 |
dBm |
|
热调偏置电压 |
Uheater |
- |
4.5 |
V |
|
热调偏置电流 |
Iheater |
- |
50 |
mA |
|
保存温度 |
TS |
-40 |
85 |
℃ |
|
相对湿度 (无凝露) |
RH |
5 |
90 |
% |
