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薄膜铌酸锂相位调制器
产品介绍
薄膜铌酸锂相位调制器是一种高性能电光转换器件，由我司自主研发并拥有完整自主知识产权。该产品通过高精度耦合工艺技术封装而成，实现了超高电光转换效率。相比于传统铌酸锂晶体调制器，本产品具有低半波电压、高稳定性、小器件尺寸的特性，能广泛应用于数字光通信、微波光子、骨干通信网络及通信类科研项目等领域。
产品特点
射频宽带高达40 GHz
半波电压低至3 V
插入损耗低至 4dB
小器件尺寸
机械尺寸
注：带REF.标记的数据仅为参考值。
S21 测试样图 (20 GHz 典型值)
S21 测试样图 (40 GHz 典型值)
订购信息 ：LB-X1C5PPBP65
|
可选项 |
描述 |
选项编号 |
|
X1 |
3 dB 电光带宽 |
2 或 4 |
产品描述：20 GHz/40 GHz薄膜铌酸锂相位调制器。
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类别 |
参数 |
符号 |
单位 |
指标 |
|
|
光学性能(@25°C) |
工作波长(*) |
λ |
nm |
~1550 |
|
|
光学回损 |
ORL |
dB |
≤ -27 |
||
|
光学插损(*) |
IL |
dB |
最大值：5 最小值：4 |
||
|
电学性能 (@25°C) |
3 dB 电光带宽(2 GHz起) |
S21 |
GHz |
X1: 2 |
X1: 4 |
|
最小值：18 典型值：20 |
最小值：35 典型值：40 |
||||
|
射频半波电压(@ 50 kHz) |
Vπ |
V |
典型值：3.0 |
||
|
射频回损(2 GHz至40 GHz) |
S11 |
dB |
≤ -10 |
||
|
工作温度 |
TO |
°C |
-20~70 |
||
|
全温光学损耗差异 |
TDL |
dB |
≤ 1 |
||
1、可定制。
损伤阈值
|
参数 |
符号 |
最小值 |
最大值 |
单位 |
|
射频输入功率 |
Sin |
- |
29 |
dBm |
|
射频输入摆幅电压 |
Vpp |
-8.9 |
+8.9 |
V |
|
射频输入均方根电压 |
Vrms |
- |
6.30 |
V |
|
光输入功率 |
Pin |
- |
20 |
dBm |
|
保存温度 |
Ts |
-40 |
85 |
℃ |
|
相对湿度（无凝露） |
RH |
5 |
90 |
% |
注：若器件工作超过最大损伤阈值将对器件造成不可逆损伤，此类器件损伤不在维保服务范围。
管脚定义
|
引脚 |
符号 |
描述 |
|
1 |
- |
无定义 |
|
2 |
- |
无定义 |
|
3 |
- |
无定义 |
|
4 |
- |
无定义 |
|
5 |
- |
无定义 |
|
6 |
- |
无定义 |
|
7 |
- |
无定义 |
|
RF |
RF连接器 (*) |
2.92 mm K连接器 |
|
In |
入光光纤 |
FC/APC, PMF |
|
Out |
出光光纤 |
FC/APC, PMF |
1、可定制1.85 mm连接器或J连接器。
