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光探测器 MPO PD
采用高性能 InGaAs/InP PIN光电二极管封装
PD探测器内部采用高性能 InGaAs/InP PIN光电二极管封装。基于其特殊的光学设计， 产品具有高响应度， 低暗电流和可靠性高的优点。 由于其紧凑的结构和微小的体积， 易于集成在高密度的光纤通信系统中。
产品特性
结构紧凑
高响应度
暗电流低
应用场景
功率监控
光纤放大器
WDM传输系统
尺寸结构
性能参数
|
Parameter |
Unit |
Value |
|
Operating Wavelength |
nm |
1250~1650 |
|
Responsivity (Dual fiber) |
mA/mW |
≥0.85 |
|
Dark Current |
nA |
≤1.0 (@25°C, 5V) |
|
Forward Current |
mA |
≤10 |
|
Reverse Voltage |
V |
≤5 |
|
Capacitance |
pF |
≤6 (Vr=5V, f=1MHz)
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|
Insertion Loss |
dB |
≤0.6 |
|
Return Loss |
dB |
≥45 |
|
Polarization Dependent Loss |
dB |
≤0.15 |
|
Polarization Mode Dispersion |
ps |
≤0.1 |
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Temperature Dependent Rate |
% |
±5 (@Responsivity) |
|
Fiber Type |
/ |
G657A1 0.9mm Loose tube |
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Connector |
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MPO/APC Mother's head（母头） |
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Operating Temperature |
℃ |
-20~+70 |
|
Storage temperature |
℃ |
-40~+85 |
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