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IQ 调制器

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IQ 调制器

铌酸锂 IQ 调制器 C 波段 20 GHz x 2
产品介绍
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产品介绍
20 GHz x 2 铌酸锂 IQ 调制器是基于双平行结构的双马赫-曾德尔电光调制器 (MZM) 设计。每个调制器的电光带宽大于 20 GHz，加上集成光电二极管可提供自动偏置控制 (ABC) 。

 

 

产品特点
钛扩散工艺
工作波长在 1530 - 1570 nm
工作带宽 > 20 GHz
低光学插耗
集成光电二极管
满足通信规格 Telcordia GR-468-Core

 

 

产品功能
OFDM 调制
QPSK 调制
QAM 调制
CS-SSB
FMCW 自动驾驶激光雷达

 

 

脚位和光纤规格

射频接器

SMPM 公头

Bias Ports

DC 脚位

输入光纤

PMF 保偏光纤 (Corning/Fujikura PM15-U25D)，900 µm 套管，> 1.4 m

输出光纤

PMF 保偏光纤 (Corning/Fujikura PM15-U25D)，900 µm 套管，> 1.4 m

光纤最少弯曲半径

15 mm

 

 

尺寸(单位：mm)

 

 

引脚定义

引脚#

名称

说明

引脚#

名称

说明

1

RF. 1

RF 输入 (SMPM 公头)

7

Bias PH+

Bias Phase +V

2

RF. 2

RF 输入 (SMPM 公头)

8

Bias PH-

Bias Phase -V

3

BIAS 2+

Bias 对应 RF.2 +V

9

光电二极管阴极

-ve

4

BIAS 2-

Bias 对应 RF.2 -V

10

光电二极管阳极

+ve

5

BIAS 1+

Bias 对应 RF.1 +V

11

GND

接地

6

BIAS 1-

Bias 对应 RF.1 -V

 

引脚对 #3 和 4, 5 和 6, 7 和 8 等不一定需要如上表所定义的极性，但必需为一正一负电压。

 

 

订购信息：HC-40G QPSK (IQ)

产品描述

型号

40G QPSK (IQ)，C 波段 40 GHz QPSK (IQ) 铌酸锂调制器

［大于 1.4 m (900 μm 套管) 的保偏光纤 (黑色套管) / 保偏光纤 (黑色套管)，

 FC/APC 光连接器］

 

HC-40G QPSK (IQ)

 

性能参数

参数

条件

最小值

最大值

单位

最大 RF 输入功率 (电)

RF 射频端囗,交流耦合 AC

-

10

Vpk-pk

最大输入光功率 (光学)

连续功率 CW

-

100

mW

DC Voltage at DC port

-

- 40

40

V

mPD 反向电流

-

-

< 2

mA

mPD 前向电流

-

-

< 10

mA

mPD 反向电压

-

-

< 15

V

外壳工作温度

-

- 5

+ 75

°C

最高工作温度变化速率

-

-

5

°C/min

存储温度

-

-

+ 85

°C

工作湿度

不冷凝

5

85

%

引脚焊接温度

-

-

250

°C

引脚焊接最长时间

-

-

10

s

 

 

参数

条件(1)

最小值

典型值

最大值

单位

光学参数

工作波长范围

-

1525

-

1570

nm

插入损耗, IL (2)

EOL，- 5 ~ + 75 ℃，全C 波段

-

5.0

7.0

dB

Phase-MZI 消光比

@ DC

24

-

-

dB

RF-MZI 消光比

@ DC

24

29

 

dB

偏振消光比 PER

-

20

-

-

dB

回波损耗, RL

输入和输出

40

-

-

dB

射频接口 - 电学参数

子 MZI Vπ

@ 1 kHz

-

5.0

7.0

V

载波抑制比 (3)

@ 15 GHz

待定

-

-

dB

边带抑制比

@ 15 GHz

待定

-

-

dB

子 MZI - 3 dB 电光带宽

相对于 2 GHz

20

23

-

GHz

子 MZI S21 平坦度

300 MHz - 20 GHz

- 1

-

1

dB

子 MZI 幅度差 (S21)

-

- 1

-

1

dB

子 MZI 延迟

-

- 5

-

5

ps

RF-MZI 电回损 S11

40 MHz - 17 GHz

17 GHz - 30 GHz

10

8

12

10

-

-

dB

 

 

参数

条件1

最小值

典型值

最大值

单位

偏置接口 - 电学参数 (4)

子 MZI 偏置电压 Vπ

@ 1 kHz

-

7

8

V

母 MZI 偏置电压 Vπ

@ 1 kHz

-

7

8

V

所有 MZI 偏置电压 Vπ 在全工作波段的变化

在 1550 nm

- 5

-

5

%

Bias 接囗阻抗

@ DC

1

-

-

MΩ

mPD 参数 (5))

PD 响应度 (6)

-

20

-

120

mA/W

线性度

-

-10

-

10

%

相位偏差 (7)(8)

PD 没有反转

-5

-

5

Degree

（1）Top=25°C , BOL , 波长 1550 nm，除非专门标出

（2）插损在 MZI 的 transfer function 最高点测量

（3）测试方法 TBD

（4）每个偏置口包括两个管脚，差分电压输入

（5）总输出端 mPD

（6）mPD 响应度定义为:

·子 MZI 设于最大输出点

·偏置电压加于母 MZI

·响应度R = (Im_- 3 dB) / (Pout_- 3 dB)

·Im_- 3 dB 为 mPD 在光输出在最大点- 3 dB 时的电流

·Pout_- 3 dB 为光输出在最大点- 3 dB 时的光功率

（7）mPD 相位差是 mPD 与输出光功率的最大或最小之间的差

（8）mPD 相位差± 5°相当于± 2.8%

 

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