薄膜铌酸锂相干调制器

IQ调制器

产品特点
带宽高至 20 GHz //40 GHz         
半波电压低于 3.5 V         
低光插损 ≤ 7 dB

 

 

机械尺寸(单位:mm)

 

 

 

 

S21 测试图 (20GHz 参考图)

 

 

 

S21 测试图 (40GHz 参考图)

 

 

订购信息:LB-X1C7PPBC6L

可选项

描述

可选编号

X1

RF 3dB 宽带

2  4

性能参数

栏目

参数

符号

单位

性能

光学参数

工作波长

λ

nm

~1550

光学消光比 (@ DC)

ER

dB

≥ 20

光学回损

ORL

dB

≤ -27

光插损 (*)

IL

dB

Max: 7

Min: 6

电学参数

3 dB 带宽(from 2 GHz)

S21

GHz

X1: 2

X1: 4

Min: 18  Typ: 20

Min: 36  Typ: 40

子路 RF Vπ(@ 50 kHz)

Vπ-C

V

Max: 3.0  Min: 2.5

热调偏置电压范围

Vh

V

0~4

热调 Pπ  (@ DC)

Pπ

mw

≤ 40

RF 回损(10 MHz  to  40  GHz)

S11

dB

≤ -10

工作条件

工作温度

TO

°C

-10~60

全温插损差异

TDL

dB

≤ 1

 

 

 

管脚定义

引脚

符号

描述

引脚

符号

描述

RF1

P1

射频 “I”

7

DC7

P路偏置

RF2

P2

射频 “Q”

8

DC8

1

DC1

9

DC9

P路 MPD 阳极

2

DC2

I路偏置

10

DC10

P 路 MPD 阴极

3

DC3

I路偏置

11

DC11

Q 路 MPD 阳极

4

DC4

Q路偏置

12

DC12

Q路 MPD 阴极

5

DC5

Q路偏置

13

DC13

I 路 MPD 阳极

6

DC6

P路偏置

14

DC14

I 路 MPD 阴极

其他:

1、输出均为 PM 光纤, FC/APC 连接头

2、射频接口为 SSMP- (又称SMPM/GPPO)

 

 

最大工作范围

若器件工作超过最大损伤阈值将对器件造成不可逆损伤,此类器件损伤不在维保服务范围。

 

参数

符号

最小

最大

单位

射频输入功率

Sin

-

19

dBm

射频输入摆幅

Vpp

-

5.6

V

射频输入均方根电压

Vrms

-

2

V

热调偏置电阻电压

Vh-max

-

5

V

存储温度

Ts

-40

85

相对湿度(无凝露)

RH

5

90

%